반도체 소자를 위한 낮은 에너지 소비 막 질소 발전기

반도체 디바이스를 위한 낮은 에너지 소모량 얇은막 질소 발생 장치

얇은막 질소 발생 장치 도입

질소 막 분리 기술의 중심에서 중합 막 소재가 그것이고

압력을 가할 때 또 다른 것의 도입을 최소화하는 동안 한 가스의 빠른 통로를 고려하세요

얇은막을 가로지르는 증감. 막 소재는 높아서 공급하기 위해 중공사로 형성됩니다

높은 볼로메트릭 가스 처리 비율을 위한 표면적.

질소 중합체 박막을 위해, 각각 가스의 침투의 비율은 그것의 가용성에 의해 결정됩니다

질소 막 소재와 더의 분자 자유 체적을 통한 확산의 비율에서

질소 막의 벽. 질소 얇은막에서 고용해성을 나타내고, 그것을 가스로 처리하는 가스

큰, 더 적은 용해 가능 가스 보다 더 빠르게 분자 크기에 작고 스며듭니다.

얇은막 질소 생성기 응용 :

1. 야금학 : 금속 열 처리, 금속 용접, 자성 물질, 금속 분말 신터링의 보호용 가스.
2. 화학 산업 : 화섬사, 살충제, 다양한 화학 제품류의 보호용 가스, 압력 이송, 대체, 세정, 덮개, 페인트 활약.
3. 석유, 가스 : 석유 정제, 광유 질소 주입 개발, 날씨 컨테이너, 송유관 질소 스위핑, 누출 탐지, 대체, 근해원유 개발.
4. 광산업 : 지하 폭발 예방, 탄전 화재 안전 제어.
5. 의약품 : 중국 한약의 질소 충진 저장과 양약과 주입의 패키징을 방출한 질소 충진과 산소와 약제 물 공기압 전송.
6. 전자공학 : 자금, 건조와 깨끗한 패키징을 정화하는 집적 회로와 반도체 디바이스의 처리에서 질소 보호.
7. 식품 : 질소 충진 패키징, 과일의 가스 조정 신선한 저장과 야채, 술의 패키징을 방출한 질소 충진과 산소와 음료와 식용 기름 활약.

빠른 가스와 느린 가스

빠른 가스는 그러므로 느린 가스 보다 더 즉시 질소 막의 벽을 통하여 투과합니다

원래 가스 혼합물을 2가지 흐름으로 분리하기. 바람직한 흐름의 순도는 조정될 수 있습니다

운영 상태를 바꿈으로써.

2 가스를 분리하기 위한 질소 얇은막의 능력은 그들의 선택성, 비율에 의해 결정됩니다

2 가스의 투과도의. 높게 선택성, 더 효율적인 분리와 더 적은

에너지는 시스템을 운영할 필요가 있습니다.

얇은막 질소 발생 장치 상술 :

기술적인 매개 변수 :

N2의 고순도와 순도는 95% 내지 99.9% 사이에 규제될 수 있습니다

사용자의 요구 ;
.고효율, 압축된 공기의 낮은 에너지 소모량 ;
.표준 모델들, 질소 발생 장치는 추가적 질소 출력을 위해 평행할 수 있습니다 ;
.낮은 이슬점, 용접의 품질을 보증하기 위한 제품 ≤ -40 'Ｃ의 이슬점 ;
 .높은 청결을 만나기 위한 유효 프레임, 깨끗한 출현과 쉬운 세정 관리

전자 산업을 위한 요구.